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汎銓規劃上半年登興櫃

半導體材料分析上市櫃公司將再添新兵。半導體先進製程與第三代化合物半導體廠商汎銓（6830）昨（11）日順利公開發行，規劃今年上半年登錄興櫃。
法人看好，藉由台灣晶圓代工龍頭的加持以及資本市場的挹注，汎銓可望成為國內先進製程材料分析龍頭企業，為投資人帶來新的投資亮點。
汎銓專精於半導體製程研發初期的製程細微結構形貌分析及成分分析，透過操作高階電子顯微鏡等分析設備儀器，搭配自行研發之特殊分析技術工法，提供專業分析報告。
半導體產業鏈從IC設計公司設計、晶圓製造、封測及設備廠，都是汎銓全面服務的客群，是全球各大半導體廠商的重要研發夥伴。
材料分析（MA）與故障分析（FA）是半導體製造產業的重要環節。汎銓表示，成立以來同時投入這兩大領域的研發，材料分析技術位居產業領先地位，例如早年即領先市場開發出低溫原子層鍍膜技術，透過低溫原子層鍍膜技術在樣品外形成保護，進而提升材料分析的精準度，於2020取得專利。 

汎銓擬明年登興櫃
半導體材料分析廠汎銓科技昨（16）日與台新證券簽訂股票上市櫃輔導契約，朝資本市場邁進。汎銓是台積電供應鏈成員，主攻半導體先進製程材料分析（MA），看好5G及車聯網帶動全球半導體產業成長，將藉資本市場，擴大營運規模，預定明年登錄興櫃交易。
汎銓成立於2005年7月27日，由董事長兼總經理柳紀綸與目前負責先進製程分析技術的副總陳榮欽，以及專責營運事務的廖永順三人共同創設。其中，陳榮欽與廖永順曾任職台積電，公司創設主攻半導體材料分析及IC電路修補，與台積電合作緊密。
汎銓專精於半導體製程研發初期的製程細微結構形貌分析及成分分析，並透過操作高階電子顯微鏡等分析設備儀器，搭配該公司自行研發的特殊分析技術工法，提供客戶高品質專業分析報告，是全球各大半導體廠商不可或缺的重要研發夥伴。
汎銓表示，邁入5G及車聯網世代，相關終端產品多樣化應用需求急增。為因應此一趨勢的來臨，全球晶圓代工大廠與美系、日系半導體設備商持續研發先進製程微縮技術，帶動5奈米與下世代3奈米需求。

迎先進製程材料分析商機！汎銓科技規劃H1登興櫃

汎銓科技(6830)在台新證券輔導下，今(11)日股票順利公開發行，接下來將積極規劃今年上半年登錄興櫃；汎銓亦期許能在晶圓代工龍頭的加持以及資本市場的挹注下，讓公司穩居國內先進製程材料分析龍頭地位，成為投資市場新亮點。
汎銓指出，公司主要是透過高階電子顯微鏡等分析設備儀器，以及自行研發的特殊樣品製備與分析技術工法，提供半導體製程研發初期的製程細微結構形貌分析、成分分析以及精準專業的分析報告，客戶則包含IC設計、晶圓製造、封測及半導體製程設備商等。汎銓專精於半導體先進製程與第三代化合物半導體製程材料分析，目前已是全球各大半導體廠商密切的研發夥伴。
材料分析(MA)與故障分析(FA)是半導體製造產業的重要環節，汎銓自成立以來就同時投入兩大領域。汎銓早年領先市場開發的低溫原子層鍍膜技術(LT-ALD)，透過LT-ALD技術在樣品外形成保護，避免樣品因電子束照射產生變形，進而提升材料分析的精準度，並於去年取得專利。
在LT-ALD技術加持下，材料分析成為汎銓營收主要來源，並且取得過半市佔率。此外，汎銓也全面強化故障分析的能量，提供先進製程客戶完整的服務。
汎銓去年合併營收逾11億元，稅後純益約1.6億元，每股盈餘4.05元，續創營運高峰。
而因應先進製程快速推進的研發需求，汎銓亦積極投入重大檢測設備的資本支出，專利技術含量也明顯優於同業，可望成為此波半導體成長趨勢的受惠者之一。汎銓表示，在建置最新高階分析機台逐步到位下，包括故障分析、材料分析、到表面分析的一站式高品質分析服務，都將會是今年的主要成長動能。
展望後市，由於積體電路已進入超越摩爾定律時期，新型態異質整合封裝體與第三類半導體日新月異，汎銓為此開發各式封裝體的開蓋與取三五族晶片技術，讓分析無縫接軌，續扮半導體高階製程領航者。

汎銓科技 規劃上半年登錄興櫃

由台新證券輔導的半導體先進製程與第三代化合物半導體的領航者－汎銓科技（6830）在完成公開發行後，將規劃上半年登錄興櫃，藉由台灣晶圓代工龍頭的加持以及資本市場的挹注，可望成為國內先進製程材料分析龍頭企業。

汎銓專精於半導體製程研發初期的製程細微結構形貌分析及成分分析，如同「製程研發的領航者」，透過操作高階電子顯微鏡等分析設備儀器，搭配自行研發之特殊分析技術工法，提供予客戶高品質之專業分析報告。半導體產業鏈從IC設計公司設計、晶圓製造、封測及設備廠，都是汎銓全面服務的客群，目前該公司已是全球各大半導體廠商不可或缺的重要研發夥伴，且重要性與必要性與日俱增。

材料分析(MA)與故障分析(FA)是半導體製造產業的重要環節，汎銓科技自成立以來，就同時投入這兩大領域的研發，汎銓科技的材料分析(MA)技術向來位居產業領先地位，例如早年即領先市場開發出低溫原子層鍍膜技術(LT-ALD)，透過低溫原子層鍍膜(LT-ALD)技術在樣品外形成保護，避免樣品因電子束照射產生變形，進而提升材料分析的精準度，並於2020年取得專利，在LT-ALD技術的加持下，汎銓科技材料分析(MA)技術廣受半導體業界肯定，以致材料分析(MA)領域市佔率超過50%以上且為公司主要營收來源，汎銓2020年合併營收達新臺幣11億元以上，稅後純益約1.6億元，EPS4.05元，續創營運高峰。

汎銓全面強化故障分析(FA)的能量，提供超越摩爾定律的需求，於2021年初進駐IC設計及系統廠的重要聚落台元科技園區，並舉辦《先進分析技術論壇》，發表最新技術的進展，吸引上百位半導體界的菁英參與，靠著多年經驗累積與自我研發，以超群的故障分析技術工法領先同業，提供先進製程客戶完整的服務。

過往幾年汎銓為因應先進製程快速推進的研發需求，投入重大檢測設備之資本支出毫不手軟，開發的專利技術含量明顯優於同業，預估將為此波半導體成長趨勢之最大受惠者。在建置最新高階分析機台逐步到位下，包括故障分析、材料分析、到表面分析的一站式高品質分析服務，都會是今年主要成長動能。

展望未來，隨著積體電路進入超越摩爾定律時期，新型態異質整合封裝體與第三類半導體日新月異，因應此新趨勢，汎銓開發各式封裝體的開蓋與取三五族晶片技術，讓分析無縫接軌，已成為半導體高階製程真正的領航者。

汎銓 獨創ALD真空鍍膜技術
汎銓科技專研半導體材料分析，以優勢技術擴展更多業務及客戶，持續拉開領先對手的差距。董事長柳紀綸表示，今年下半年為汎銓邁向新發展的重要轉折點，9／18半導體展I區2228號攤位，將展示領先全球的技術實力。
過去表面分析（SIMS／XPS）國外大廠具有優勢並形成市場寡占，柳紀綸強調，汎銓的服務不斷升級，今年新增表面分析的設備，在製程摻雜離子（電性參數）及汙染物監控更精準快速，並強化故障分析能量，補足先進封裝分析設備（X-ray、SAT、Thermal Emission），強化電性分析設備定位的精準度及故障分析hit rate，更容易找到異常的真因。
半導體製程不斷創新，大廠投入5nm及3nm先進製程研發，EUV光阻、Low-K等關鍵材料由於材料特性，以電子顯微鏡技術觀察材料的微結構與成分時，容易導致材料產生人為缺陷，至變形、倒塌，導致研發人員誤判，走錯研發方向。汎銓研發領先同業的技術工法，避免人為因素導致缺陷，樣品得以維持原貌，為進行每一代製程微縮研發過程中不可或缺。
汎銓自行研發ALD真空鍍膜技術，更是業界唯一可以讓樣品形成盔甲保護，避免人為缺陷，呈現真實的材料微結構與成分，已廣泛應用於FA／MA多項分析，展現絕對優勢。因應需求擴大，持續在新竹、台南及南京擴充ALD真空鍍膜設備產能。南京營運據點今年6月開幕，採取相當於中央廚房的管控精神，使各外站的品質及服務與總部一致，有利於開拓更多海外分析業務。
柳紀綸認為，汎銓在半導體先進製程的材料分析領先同業，有很多原因，包括管理制度健全，歷年培養許多優秀工程人員，單位時間具有最優品質及最大產量。除了先進設備陣容盛大，亦有優秀設備團隊來維護；研發及工程客服人員具有高度服務熱忱，樂於接受挑戰，視客戶的高規格品質要求為進步的來源。
汎銓自行研發智慧e系統，用於案件排程管理，也發揮人工智慧的優勢，大幅提升運作效率、縮短交期，提升承接大量、高難度案件的能力。「委案量越多越難，人員、機台及生產系統就越優化，進一步提升競爭力。」

汎銓科技全面展開技術研發　強化材料分析競爭力

近年來全球半導體產業戰況激烈，台灣與南韓在先進製程持續交鋒，製程技術將從5奈米走進3奈米，半導體先進製程考驗的不僅是廠商、產業的技術實力，更是國家之間的角力，面對此一趨勢，汎銓科技董事長柳紀綸表示，台灣在半導體領域的專業分工精細，各環節的技術實力位居全球產業領先地位，對於這場競賽，他十分有信心。

汎銓科技是台灣乃至於全球半導體產業中，少數聚焦於材料分析(MA)的專業廠商，多年來積極培育專業人才，深化技術實力，在MA領域中已臻產業領先地位，對於半導體廠將進入3奈米製程，也已備妥相關技術。

汎銓科技副總經理周學良指出，5奈米與3奈米半導體的材料分析挑戰在於樣品的製備，半導體製程所用到的EUV光阻、Low-K等關鍵材料，由於受限於材料天性，在使用電子顯微鏡觀察其微結構與成分時，容易因電子束的照射，導致試片變形、倒塌，造成製程研發人員的誤判。

周學良表示，在半導體材料分析中，保持樣品原貌，避免因人為因素造成缺陷在每一代製程微縮研發過程中的必要工作，只是在5奈米乃至於3奈米製程中，樣品的體積更薄，因此也更容易變形。為解決此一問題，汎銓科技早在數年前就開發出ALD真空鍍膜技術，以真空鍍膜在樣品外層形成保護，就像為其穿上一層盔甲，避免因電子束的照射而產生變形。

ALD真空鍍膜技術是由汎銓科技獨力研發，目前也是市場唯一能完全保護樣品不變形的技術。柳紀綸指出，由於半導體製程走在業界尖端，多數設備廠商的技術難以跟上，因此許多設備都必須自行研發，在材料分析領域也遇到一樣的狀況。

當初汎銓科技提出真空鍍膜構想時，市面上的廠商仍無足夠技術滿足要求，因此汎銓科技只能自己來，透過之前培養的專業人才與技術累積，ALD真空鍍膜設備成功問世，柳紀綸透露之後有廠商前來洽詢，希望與汎銓科技合作生產，不過柳紀綸還是決定保留技術。現在ALD真空鍍膜已被汎銓廣泛使用於MA、FA等多項分析，近年來需求增加，汎銓科技也持續提供此服務以滿足客戶的需求。

半導體是知識密集產業，對專業的需求極高，要提供完善服務，除了具備尖端設備，專業人才更是關鍵，尤其是半導體產能快速放大，人才的數量也必須同等增加。汎銓科技從成立以來，不但積極培養人才，還透過人性化管理與完善制度留住人才，藉此建立起充足且具高度專業的人才庫。

完整人才庫在近年來日益激烈的半導體產業起了關鍵因素，柳紀綸以製程研發為例，半導體的材料分析必須走在製程研發之前，才能在客戶進行研發之際，提供對應的技術支援，然而既然技術尚未開始，要如何比客戶先走一步？這就是人才庫的最大價值。

柳紀綸指出，客戶的技術研發之前，學術界都早有各種研究，汎銓科技的專業人才不但必須熟知半導體產業，還必須將觸角延伸到學術界，了解目前有關的學術理論作法與進度，再從中找出客戶最有可能選擇的技術，先行投入研發，在客戶決定採用時，汎銓科技已然備妥相關解決方案。

當然技術選擇不可能百發百中，客戶選擇之外者，汎銓科技將之視為技術能量的累積，未來延伸出其他價值的機會仍然相當大，透過此一累積，汎銓科技的競爭力也越來越厚實。

對於未來發展，汎銓科技從今年開始積極踏出腳步，除了之前已有的新竹材料分析本部與南科分公司外，南京與同樣位於新竹的兩處據點也都開始營運，其中位於公道五路二段的新營運點也將提供FA與SA兩大服務。南京子公司營運方式會持續現在中央廚房管控的精神，讓各外站的品質及服務皆與總部一致，並會繼續開拓更多海外分析的業務及客群。

至於服務項目方面，由於客戶端的需求浮現，汎銓科技2019年也將開始表面分析SIMS服務，並強化故障分析的能量，購入先進封裝分析設備，提供客戶完整的分析服務，以因應日益激烈的市場競爭。汎銓科技將於半導體展展出(攤位號碼：I2228)，歡迎到場互動交流。

汎銓引進SIMS設備 提供高質量SA服務

汎銓科技（MSS）又有新的設備投資，此次引進法國CAMECA公司的SIMS先進二次離子質譜儀，為材料表面分析（SA）的利器，可透過濺射、蝕刻技術，精準分析半導體板材中的各種元素成分，對於半導體及光電業發展次世代製程採用新材料，提供有力奧援。

汎銓董事長柳紀綸表示，驗證分析產業MA、FA、SA、RA，其中可靠度分析（RA）以產品驗證為主，市場量雖大，但技術門檻不及材料分析（MA）及故障分析（FA）。汎銓專攻半導體先進製程的MA及FA，分析技術能力可對應5奈米以下製程，加入材料表面分析（SA）服務，戰力更為提升，將進一步帶動營收成長。

汎銓上半年完成增資，引進多家國內金控創投法人，以每股溢價53元，共發行1萬張。據了解，汎銓募集5.3億元，主要用於擴充產能，提升戰備，為近年資本市場少見的重量級增資案。副總經理蘇靖棋表示，除婉拒多家重量級創投及海外資金，也有半導體設備商有意入股，由於半導體市場的重量級設備商都是汎銓的客戶，基於角色中立考量，也只能說NO。

汎銓在新竹設立多處實驗室，提供高質量的MA、FA、SA服務，在南科及南京也有據點。南京廠明（18）日啟用，11月將新增位於新竹公道五路的辦公室及實驗室，一口氣租下3個樓層，與大客戶在晶圓先進製程大手筆豪氣投資，絲毫不遜色。

汎銓科技提升半導體服務 增三處據點

隨著大客戶台積電新廠設立以及先進製程快速推進，汎銓科技加快兩岸佈局的腳步。除了營運總部廠區大規模擴充材料分析設備，也設立了竹科分公司擴大FA故障分析服務業務，更於4月獲准進駐南科設立分公司以先進製程材料分析服務為重點，就近服務南科重點客戶。針對蓬勃發展的中國半導體市場，繼上海據點之後，已著手成立子公司南京泛銓電子，距台積電南京廠僅1.5公里，達到服務「零時差」。

汎銓科技專攻材料分析，以專業技術服務半導體產業鏈上游的製程研發，協助客戶突破重要的技術障礙。汎銓新竹埔頂路的營運總部過去受限於產能追不上訂單，經常被迫婉拒部份訂單，董事長柳紀綸表示，隨著營運據點「一變五」，產能陸續開出後，可提供自高階到中低階的全面分析服務，並大幅拉升市場佔有率及營業規模。

汎銓營運總部及竹科、南科分公司今年已大手筆投資數億元，南京子公司也將建置先進全新設備，一條線投資金額估計不少於2億元，初期滿足南京及上海客戶群製程研發的材料分析需求，也可支應未來更微細的先進製程。汎銓重視人才，視為公司最重要的資產，以優渥的薪資福利及發展前景，持續吸引優秀人才投效。對於外派大陸的人員，柳紀綸說，在原來的年薪架構下，不分職等另享有相同的駐外津貼。

汎銓以領先的技術，往往讓機台設備發揮出高於預期的效率，產出的質與量皆高於同業，許多棘手的高難度案件快速獲得解決。基於高品質及節省時間效益的考量，不少客戶為了「搶產能」，願意付出較高的費用，汎銓也以最高品質及服務熱忱回饋客戶。

汎銓以材料分析比較台積電和三星的晶片

台積電和三星的晶片戰不斷，各有優勢，究竟誰的晶片較符合大眾的期待很難判斷，因此，汎銓科技以材料分析的方式並加上高解析度的穿透式電子顯微鏡(TEM)影像分析，兩廠商晶片中SRAM區域及FinEFT工藝的差別，了解台積電和三星的10 nm製程。

SRAM大小及密度

6T SRAM單元面積越小，表示在同樣尺寸大小的元件可以植入更多的記憶單元。i8製程中的鰭間距(Fin pitch)較S8的小，進而影響了6T SRAM的單元面積，i8其面積為0.040 um²遠遠小於S8的0.049 um²，所以相信i8整體效能勝出，跟其邏輯區域搭載單元數量有相對之關係。

FinFET結構與特性

進一步來看兩者間Fin結構的差異，輔助TEM的影像以及EDS圖像，可以解析其極細微的差異，統整了一些N-Fins的指標性的尺寸，在這裡可以發現兩家的製程設計走向不一樣的路線，S8致力於增加Fin High(與閘極接觸的鰭高)以及Fin Width(寬度)，因此S8在這兩個數字上都是略勝i8的，這個設計完全符合FinFET增加通道面積的概念，但是雖然i8可能在通道面積的上略小於S8，但是其Fin Pitch(兩鰭間距)卻比S8小了非常多，因此認為i8除了增加通道面積外的同時，也兼顧縮小了單元面積大小，終致能大大增加SRAM單元數量。

另一方面在材料選擇上，從EDS mapping可以清楚得知，兩者10 nm製程的FinFET成分組成是大同小異。同時，沒有觀察到與前一代16/14 nm製程不同的特別材料，相信目前此處製程材料使用趨於穩定。

SiGe組成與應變

在目前的製程中磊晶所成長的SiGe結構，係利用SiGe與Si之間晶格常數差異產生應變，從而提高載子的遷移率，這使得邏輯元件在相同尺寸下，性能可以得到很大的提升。觀察Fin上方磊晶的SiGe結構，可以看到S8的SiGe相對面積較小，可能其在製程的過程中有較大的SiGe損失，這一點在i8中可以看到其SiGe整體結構優於S8的表現。

最後在HAADF影像及EDS成分分析上，都能觀察到兩者的SiGe皆呈現兩個不同濃度的成分分布，中心與外層的Ge濃度不相同，相信濃度變化的SiGe應可致更大的應變，使得載子的遷移率可以有效地提升。

金屬內連結以及尺寸微縮

最後使用SEM觀察到整體SRAM金屬連線的狀況，i8在這個部分遠遠勝過S8，i8的尺寸就比S8將近少了300 nm，在這個金屬連線迅速降低的情況下，相對而言即是帶來寄生電容及訊號延遲(RC-delay)的現象。

汎銓科技總結i8與S8的FinFET比較，S8規規矩矩地走向尺寸微縮，以及增加通道面積的方向，但是i8在這個架構概念下增加了更多的巧思，來提升整體邏輯區的密度，同時也在製程中添進了一些極微小的差異來改善效能。而材料分析就是幫助製程端發現且了解這些極小的差異。

半導體材料分析技術 汎銓領風騷

IC產業蓬勃發展，在摩爾定律下，晶圓廠在每個世代的製程競賽中，持續研發新技術與設計，藉著微縮線寬來降低IC成本及提高效能。

汎銓科技面對製程技術與設計不斷演變與改良，持續引進最先進的設備，並投入巨大的研發能量，克服各種先進製程分析的關卡。

汎銓歷年開發許多分析技術，搶在業界之先，各種全新服務品項也獲得客戶好評及同業跟進效法，成為產業標準。

技術長陳榮欽博士表示，材料分析業只要願意投資，引入先進儀器都不難，但單憑設備無法建立絕對的競爭力。汎銓樂於接受客戶的挑戰並主動研發分析技術；「好的分析設備必須配合優異的試片製備技術，及正確的資料判讀能力，為分析品質的關鍵」，汎銓在這方面一路領先。

EUV光阻是先進製程開發的重要材料之一，材料特性很容易受到製備及觀測而改變原始形貌造成誤判，汎銓開發一系列低損傷工法，可保護易損傷材料，透過良好的試片製備技術及觀測手法，正確地在TEM、 FIB、SEM觀測光阻的橫截面的形貌，以評估曝光顯影狀況，或以特殊的高解析SEM手法來觀測光阻線之間的曝光顯影殘留狀況。

TEM試片製備厚度是TEM分析能力的重要指標，汎銓具有超薄TEM試片5nm奈米的製備能力，居同業之冠。

成分分析的判讀能力也受到客戶肯定，多次為客戶解決長期困擾的難題，協助找出製程開發異常缺陷真正來源，加速研發進度。在專業材料分析服務業界，汎銓領先同業，並且逐漸拉開差距，被國際大廠評為最佳的長期夥伴。

汎銓薪資稱冠同業 員工好幸福

最近勞資問題吵得凶，對於公司獲利高但員工卻低薪的問題，學者認為企業不分享利潤是主因。汎銓科技是半導體材料分析(MA/FA)專業技術服務公司，相較於同業，獲利不是最高，卻最敢於分享利潤。

以近年業界揭露的財報資料比較所屬員工的年薪，「汎銓人」的年薪連續三年高於同業1.5倍以上。董事長柳紀綸表示，材料分析部門的樣品製備助理人員，只要技術成熟，年薪即有70萬元以上，其中也有達百萬元者；以非主管職的工程人員而言，平均年薪達110萬元以上，其中約一成接近200萬元，超過200萬元者也不在少數。

柳紀綸表示，一直以來，汎銓在業界的給薪最高、福利最好，因此吸引優秀人才投效，員工也認真付出。他以「因果論」強調，員工是最要感謝的人，也是成就汎銓科技的最重要關鍵，並且說明，在汎銓科技「給薪無上限、沒有天花板」。他同時指出，巨大的差異意味著不錯的獲利能力，但並非公司賺得最多，而是願意與共同打拼的同仁分享利潤。

在競爭激烈、跳槽風行的科技業，薪資向來是高度敏感的話題，在半導體尖端製程技術研發分析業，汎銓尚未公開發行，但薪資比上市櫃同業還高，「企業幸福度」也相對更高。柳紀綸說，讓努力的員工得到相對的回饋，是全體創業團隊的信念。

「工程師的名額已滿，先以助理工程師聘用，有缺額才晉升」是業界相當普遍的做法，在汎銓，工程人員職等名額卻是「無上限」，只要工程能力經過檢定認可，就可晉升為工程師。該公司視員工為最大資產，秉持不同工、不同酬的理念，吸引一流人才投效，激發高度工作熱忱，維持高昂的衝勁；不僅離職率低於1%，分析技術經驗得以傳承累積，甚至開創全新的分析工法，也為「何以業界購買的機台相仿，但汎銓的分析技術卻能保持首屈一指」做了最佳說明。

汎銓致力改善工作環境，關注員工健康，都可公假享有免費定期健康檢查，也有業界少見的員工休息室，設置10多張床位，以及高質感、悠閒氣氛的員工餐廳及健身中心。旅遊津貼高達2萬5,000元更是科技業罕見；三天兩夜或四天三夜的高品質團體旅遊，住宿的飯店力求五星等級，不需請假，可以全然放鬆、安心旅遊，均以體恤「汎銓人」、提供最佳工作場域為出發。

柳紀綸呼籲，企業要打破低薪的窘境，專業技術服務業更應該把利潤充份分享給努力的員工；使公司競爭力與員工幸福感同步提升，創造公司、員工與股東三贏的局面。

汎銓TEM液態樣品檢驗 獨步市場

汎銓科技（MSS）開發新一代穿透式電子顯微鏡液態樣品乘載元件（TEM liquid cell），能對液態樣品中奈米成分進行穿透電顯觀察，為檢測「液態」樣品的最佳載具。

此項學界合作專案，是利用微機電製程搭配前瞻二維材料技術製作乘載元件，突破液態樣品在真空中觀察的限制，改善以往液態樣品進行TEM檢測時須進行乾燥樣品，所面臨的不便與失真及高成本等問題，避免奈米粒子在乾燥過程中發生聚集，而影響到直接觀測液體內奈米粒子的粒徑分布、型態、團聚及粒子濃度狀況，具有競爭力。

此一專利技術應用很廣，例如油類（工業）、液體（化工）、乳液（化妝品）以及懸浮粒子液體原料（半導體業研磨液）等各種液態樣品觀測，重現奈米粒子在液體內的真實樣貌。而此創新的技術相較於其他現有的電子顯微鏡液態樣品觀察技術，其克服以往在觀測濕式環境下之奈米粒子影像不佳之問題，特別針對非導體樣品提供更精細的解析度。運用此TEM液態樣品乘載元件，汎銓提供客戶多樣創新的TEM液態分析服務，在電子顯微鏡檢測領域開創全新市場，布局多元產業。

歐美國際組織均有標準規範討論食品藥物應用奈米科技的風險及功效評估，如何在液態產品（例如防曬乳、面膜、乳霜、醫療藥漿與血液）中進行奈米粒子的尺度與形貌測定為重要課題，該技術可針對上述液態產品的奈米成分進行清晰的影像觀察及成分分析，對台灣推動生技產業發展、奈米藥物開發將有創新的貢獻。

汎銓專精於材料分析及IC電路修補，過去平均年成長達二成，去年更創下成長近四成的歷來最佳成績。儘管目前接單滿手，未來3-5年公司成長無虞，仍積極布局新一代技術，厚植更強動能。董事長柳紀綸表示，為持續深耕茁壯，除了不斷投入研發材料分析相關技術，近期也將轉投資成立生技公司，延續10年來累積的能量，再適時加入新團隊新人才，擴大業務領域。

一年磨一劍 汎銓科技半導體業發光

公司基本資料

董監事持股